Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano graphene
Luận án đề xuất mô hình thế giam cầm dạng Gauss để mô tả các đặc trưng truyền dẫn của các GBJs. Ưu điểm của thế này là: (i) tính thực tiễn, nó phản ảnh tốt dáng điệu thế tĩnh điện tạo bởi các gate với các tham số xác định chính xác như trong thực nghiệm và (ii) tính đơn giản, nhờ dạng hàm thế liên t...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Luận án |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://muontailieuso.quochoi.vn/DefaultBookView.aspx?BookID=33437 https://hdl.handle.net/11742/45263 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thêm thẻ | Tóm tắt: | Luận án đề xuất mô hình thế giam cầm dạng Gauss để mô tả các đặc trưng truyền dẫn của các GBJs. Ưu điểm của thế này là: (i) tính thực tiễn, nó phản ảnh tốt dáng điệu thế tĩnh điện tạo bởi các gate với các tham số xác định chính xác như trong thực nghiệm và (ii) tính đơn giản, nhờ dạng hàm thế liên tục này phương trình Dirac có thể giải dễ dàng và hiệu quả bằng phương pháp T-ma trận. Ngoài ra, thế dạng Gauss cho phép chúng tôi khảo sát các GBJs ở tất cả các chế độ mật độ điện tích (npn, pnp, nn’n, hay pp’p) bao gồm cả các miền chuyển trơn tru giữa các chế độ này. |
|---|